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    2015-5

    絕緣材料高溫表面和體積電阻率測(cè)試系統(tǒng)符合的標(biāo)準(zhǔn)要求

    適用標(biāo)準(zhǔn):GB/T22042-2008《服裝防靜電性能表面電阻率試驗(yàn)方法》;EN1149-1-1995《防護(hù)服靜電性能部分表面電阻檢驗(yàn)方法和要求》;GB/T1410-2006《固體絕緣材料體積電阻率和表面電阻率試驗(yàn)方法》(與標(biāo)準(zhǔn)IEC93-1980等效);FZ/T64013-2008《靜電植絨毛絨》;SJ/10694-2006《電子產(chǎn)品制造與應(yīng)用系統(tǒng)防靜電檢測(cè)通用規(guī)范》6.1及ASTMD257《絕緣材料的直流電阻或電導(dǎo)試驗(yàn)方法》要求制作。GB/T2439-2001《硫化橡膠或...
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    2015-3

    硅片電阻率測(cè)量方法,四探針?lè)阶鑳x原理

    本機(jī)采用范德堡測(cè)量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差,比市場(chǎng)上其他普通的四探針測(cè)試方法更加完善和進(jìn)步,特別是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測(cè)量,更加準(zhǔn)確.按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)(ASTMF84)及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T1551-2009《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針?lè)ā贰B/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā凡⒖济绹?guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn),本機(jī)...
  • 12

    2015-1

    粉末電阻率測(cè)試儀組成結(jié)構(gòu)功能說(shuō)明

    粉末電阻率測(cè)試儀是為了適應(yīng)當(dāng)前迅速發(fā)展中的高分子半導(dǎo)電納米材料電阻率測(cè)試需要,參照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的。粉末電阻率測(cè)試儀適用于碳素廠、焦化廠、石化廠、粉末冶金廠、高等院校、科研部門、是檢驗(yàn)和分析固態(tài)、粉態(tài)和納米樣品質(zhì)量的一種重要工具。儀器直接采用數(shù)字顯示。儀器的可靠性和穩(wěn)定性大大增強(qiáng),更方便于用戶,而且價(jià)格低廉、實(shí)惠。配置不同的測(cè)試架可以對(duì)半導(dǎo)體粉末、高分子納米粉末進(jìn)行電阻、電阻率多用途的測(cè)量。適用于有機(jī)、無(wú)機(jī)粉末材料(包括納米級(jí))的電阻率測(cè)量,特別適合于太陽(yáng)能多晶硅、硅粉質(zhì)量的測(cè)...
  • 24

    2014-12

    超細(xì)粉體的粉體特性和表面特征

    超細(xì)粉體的性能與普通的顆粒是有很大的不同的。但顆粒的尺度但到亞微米級(jí)尤其是納微米級(jí)時(shí),其表面的原子排列和電子分布結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)較之普通顆粒均有明顯變化,產(chǎn)生了有別于普通顆粒的表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、量子效應(yīng)和量子隧道效應(yīng),因此,在某些特殊場(chǎng)合會(huì)具有優(yōu)異的物理、化學(xué)及表面與界面性質(zhì)。當(dāng)顆粒尺寸處于微米級(jí)時(shí),雖然去物理化學(xué)性能與普通顆粒的物理化學(xué)性質(zhì)相差不大,但微米級(jí)顆粒的比表面積大、表面能高,表面與界面性質(zhì)發(fā)生了很大的變化。如果現(xiàn)貨單一的微米級(jí)的超細(xì)粉的物理化學(xué)性能與普通顆粒相差...
  • 24

    2014-12

    接觸壓降測(cè)試儀如何檢測(cè)電能計(jì)量誤差

    接觸壓降測(cè)試儀為測(cè)試產(chǎn)品提供恒定不變的測(cè)量電流,提高測(cè)量精度,保證了產(chǎn)品質(zhì)量。該儀器還具有上限電壓降參數(shù)設(shè)置,聲光報(bào)警功能。外形美觀大方,顯示清淅直觀,可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。專業(yè)用于測(cè)試各種開(kāi)關(guān)、繼電器、接觸器、接線座、接線連接器等接觸點(diǎn)兩端間的實(shí)際工作電壓降。是科研單位、計(jì)量測(cè)試部門、生產(chǎn)企業(yè)等單位的*儀器。由于電能計(jì)量綜合誤差過(guò)大是電能計(jì)量中普遍存在的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,電能計(jì)量綜合誤差是由電壓互感器的合成誤差、電流互感器的合成誤差、電度表的誤差、電壓互感器二次導(dǎo)線壓降所引起的計(jì)量誤...
  • 18

    2014-12

    顆粒表觀密度測(cè)定儀的配置及適用范圍

    顆粒表觀密度測(cè)定儀主要用于從規(guī)定的漏斗中流出松散物料的表觀密度測(cè)定,是化工行業(yè)原料進(jìn)廠質(zhì)量檢驗(yàn)等理想的測(cè)試儀器。表觀密度測(cè)定儀適用于聚氯乙烯樹(shù)脂原料從大于100mL±0.5mL的漏斗中流出塑料松散物,當(dāng)松散塑料流100mL±0.5mL的標(biāo)準(zhǔn)容器中后,再用直尺刮去標(biāo)準(zhǔn)容器上的多余試樣,然后用天平稱其重量,用下式進(jìn)行計(jì)算ρ=M—m/V,得出表觀密度值,該儀器是化工行業(yè)以及塑料原料質(zhì)量檢驗(yàn)的測(cè)試儀器。表觀密度測(cè)定儀*符合標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,具有體積小、設(shè)計(jì)合理、...
  • 18

    2014-12

    粉末振實(shí)密度儀的性質(zhì)和功能簡(jiǎn)介

    可壓縮系數(shù)和Hausner比是反映粉末振實(shí)密度儀被壓縮時(shí)的性質(zhì),同時(shí)也反映了顆粒間的相互作用。流動(dòng)性差的振實(shí)密度儀,顆粒間的相互作用比較明顯,堆積密度和振實(shí)密度測(cè)得值差異比較大。這些差別反映在振實(shí)密度儀的可壓縮系數(shù)和Hausner比。流動(dòng)性好的振實(shí)密度儀,顆粒間的相互作用不明顯,堆積密度和拍填密度值比較接近。這樣的比較經(jīng)常用來(lái)作為振實(shí)密度儀流動(dòng)的能力指標(biāo),例如下文中所述的可壓縮性系數(shù)或豪斯納比。因?yàn)榱W娱g相互作用影響振實(shí)密度儀膨脹系數(shù)同時(shí)也會(huì)干擾振實(shí)密度儀的流動(dòng),在給定粉末振...
  • 27

    2014-11

    四探針電阻率測(cè)試儀的配置特點(diǎn)和技術(shù)參數(shù)

    四探針電阻率/方阻測(cè)試儀(以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀)是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料(主要是硅單晶、鍺單晶、硅片)電阻率,以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份測(cè)試架及四探針頭組成。本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測(cè)量電阻率的同時(shí),另一塊數(shù)字表(以萬(wàn)分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化,免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換,更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開(kāi)關(guān),在測(cè)量某些箔層材料時(shí),可免除探...
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